這樣的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，在以納米級(jí)為制成單位的芯片領(lǐng)域，是沒(méi)法用的。一個(gè)微不足道的內(nèi)部空隙，甚至原子排列上的凌亂，都會(huì)影響芯片的性能。

    所以，制造芯片的硅單質(zhì)，必須得是重新排列。讓火柴與火柴之間呈現(xiàn)規(guī)則排列，就像在火柴盒里一樣整齊。

    這就是單晶硅。

    而這個(gè)從凌亂到有續(xù)的過(guò)程，也就是晶圓的制造過(guò)程，可就復(fù)雜了。

    目前，國(guó)際上常用的單晶硅制備方法叫：柴可拉斯基法。

    就是把多晶硅加熱到熔融狀態(tài)，說(shuō)直白點(diǎn)，就是一盆巖漿。

    然后，把一個(gè)單晶硅的種子放進(jìn)熔融液之中，讓液態(tài)硅依附在種子上重新結(jié)晶，慢慢“長(zhǎng)”成更大的單一晶體。

    而在這個(gè)“生長(zhǎng)”的過(guò)程中，控制種子的旋轉(zhuǎn)速度，以及種子從熔融液之中拉出來(lái)的速度，就會(huì)得到一個(gè)圓柱型的單晶硅。

    之后就簡(jiǎn)單了，把單晶硅柱進(jìn)行切片拋光，就是晶圓了。芯片就是在這樣一張一張的硅單質(zhì)圓盤(pán)上刻蝕出來(lái)的。

    聽(tīng)上去，是不是好像也不難？

    其實(shí)已經(jīng)很難很難了，任何一件事做到極致，那就沒(méi)有不難的。

    首先，想得到高純度的多晶硅，需要將二氧化硅，也就是沙子、石英經(jīng)過(guò)電弧爐提煉，鹽酸氯化、蒸餾提純等一系列步驟操作。

    最終要得到多高純度的多晶硅才能達(dá)到要求呢？

    就拿拜倫來(lái)說(shuō)吧，他是這個(gè)領(lǐng)域的大佬級(jí)人物，純度低了肯定不符合他的身份，可是太高也不現(xiàn)實(shí)，那就行業(yè)平均水平吧！

    那么，多晶硅的純度就需要達(dá)到99.9....9%，小數(shù)點(diǎn)后9個(gè)9。

    這個(gè)過(guò)程中，多晶硅的制備、設(shè)備的精度、無(wú)塵環(huán)境、拉伸工藝等等，每一步都要做到極致。

    而且，這還不算，最最難的，其實(shí)是控制硅圓的直徑。